Samsung 970 EVO Plus SSD M.2 2280 - 2TB
SSD (Solid state drive), 2 TB, wewnętrzny, Szybkość transmisji danych: 3500 MBps (odczyt) / 3300 MBps (zapis), IOPS: 560000 (odczyt) / 620000 (zapis), 2GB LPDDR4 cache, M.2 2280 (80mm), M.2 2280 (80mm), PCI-Express 3.0 x4 NVMe 1.3 (Non-Volatile Memory Express), 256-bit AES kryptering, TCG Opal Encryption - Samsung Phoenix Controller
640,65 zł netto
+15 szt.
Na stanie - czas dostawy 3-4 dni
Koszt wysyłki od 20,00 zł
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE
Nowy, fabrycznie zapakowany produkt z pełną gwarancją producenta (informacje na temat gwarancji producenta można znaleźć na oficjalnej stronie producenta).
Nowy, fabrycznie zapakowany produkt z pełną gwarancją producenta (informacje na temat gwarancji producenta można znaleźć na oficjalnej stronie producenta).
Ostateczna wydajność, ulepszona. Szybsza niż 970 EVO, 970 EVO Plus jest zasilana najnowszą technologią V-NAND i optymalizacją firmware'u. Maksymalizuje potencjał pasma NVMe dla niepokonanego obliczeniowo komputingu. W pojemnościach do 2TB, z niezawodnością do 1,200 TBW.
Chlodzenie, inne
-
EK Water Blocks EK-M.2 NVMe Heatsink - Gold
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 8-9 dni87,99 zł -
EK Water Blocks EK-M.2 NVMe Heatsink - Blue
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 8-9 dni100,00 zł
Akcesoria do nośników danych
-
EK Water Blocks EK-M.2 NVMe Heatsink - Red
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 8-9 dni87,00 zł
Producent
Numer produktu
2695180
Model
MZ-V7S2T0BW
Ean
8801643628093
Do strony producenta
Opis produktu
Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW - SSD - 2 TB - PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora
2 GB
Cechy
Obsługuje tryb RAPID, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Waga
8 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Wielkość bufora
2 GB
Cechy
Obsługuje tryb RAPID, V-NAND Technology, eDrive, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller
Szerokość
22.15 mm
Głębokość
80.15 mm
Wysokość
2.38 mm
Waga
8 g
Wydajność
Wytrzymałość SSD
1200 TB
Szybkość wewnętrzna danych
3500 MBps (odczyt) / 3300 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
19000 IOPS
Zapis losowy 4KB
60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB
560000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
620000 IOPS
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka
M.2 2280
Różne
Zgodność z normami
IEEE 1667
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.