SSD (Solid state drive), 500 GB, wewnętrzny, Szybkość transmisji danych: 3500 MBps (odczyt) / 3200 MBps (zapis), IOPS: 480000 (odczyt) / 550000 (zapis), 512MB LPDDR4 cache, M.2 2280 (80mm), M.2 2280 (80mm), PCI-Express 3.0 x4 NVMe 1.3 (Non-Volatile Memory Express), 256-bit AES kryptering, TCG Opal Encryption - Samsung Phoenix Controller
Dane
Producent : SamsungDo strony producenta
www.samsung.com/semiconductor/...Opis produktu | Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - napęd stały - 500 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Typ | Napęd stały - wewnętrzny - wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller |
Pojemność | 500 GB |
Kodowanie sprzętu | Tak |
Algorytm kodowania | 256 bitów AES |
Typ pamięci NAND | Komórka trzypoziomowa (TLC) |
Rodzaj obudowy | M.2 2280 |
Interfejs | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Wielkość bufora | 512 MB |
Cechy | Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. |
Wymiary (szer./głęb./wys.) | 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm |
Waga | 8 g |
Ogólne | |
---|---|
Rodzaj urządzenia | Napęd stały - wewnętrzny |
Pojemność | 500 GB |
Kodowanie sprzętu | Tak |
Algorytm kodowania | 256 bitów AES |
Typ pamięci NAND | Komórka trzypoziomowa (TLC) |
Rodzaj obudowy | M.2 2280 |
Interfejs | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Wielkość bufora | 512 MB |
Cechy | Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. |
Szerokość | 22.15 mm |
Głębokość | 80.15 mm |
Wysokość | 2.38 mm |
Waga | 8 g |
Wydajność | |
---|---|
Wytrzymałość SSD | 300 TB |
Szybkość wewnętrzna danych | 3500 MBps (odczyt) / 3200 MBps (zapis) |
Odczyt losowy 4 KB | 19000 IOPS |
Zapis losowy 4KB | 60000 IOPS |
Maksymalny zapis losowy 4KB | 550000 IOPS |
Maks. odczyt losowy 4KB | 480000 IOPS |
Niezawodność | |
---|---|
MTBF | 1,500,000 godziny |
Rozszerzenie i łączność | |
---|---|
Interfejsy | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
Kompatybilna Wnęka | M.2 2280 |
Zasilanie | |
---|---|
Zużycie energii | 5.8 wat (przeciętna) 9 wat (maksymalnie) 30 mW (maks. czas bezczynności) |
Różne | |
---|---|
Zgodność z normami | IEEE 1667 |
EK-M.2 NVMe Heatsink is a passive heatsink for M.2 NVMe Next Generation Form Factor SSDs. The heatsink is ribbed, so it`s not just a flat aesthetical cover, it also acts as a very effective passive cooler.
Compatible with all single-sided type 2280 M.2 NVMe SSDs
EK-M.2 NVMe Heatsink is a passive heatsink for M.2 NVMe Next Generation Form Factor SSDs. The heatsink is ribbed, so it`s not just a flat aesthetical cover, it also acts as a very effective passive cooler.
Compatible with all single-sided type 2280 M.2 NVMe SSDs
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia.
Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych.
Moja strona
Regulamin zakupów
Biuro obsługi klienta
Telefon czynny
Kontakt
Proshop ApS