Pomoc

Dysk SSD - Samsung 990 PRO SSD PCIe 4.0 NVMe M.2 - 4TB - MZ-V9P4T0BW
Numer produktu : 3103448
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW
MZ-V9P4T0BW

Samsung 990 PRO SSD PCIe 4.0 NVMe M.2 - 4TB

SSD (Solid State Drive), 4 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7450 Mbps (odczyt) / 6900 Mbps (zapis), IOPS: 1400000 Mbps (odczyt) / 1550000 Mbps (zapis), 4GB LPDDR4 RAM, rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

1 499,00 zł
1 218,70 zł netto
Zamówiony - oczekiwany na magazynie 08.12.2023
Koszt wysyłki od 20,00 zł
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE

Nowy, fabrycznie zapakowany produkt z pełną gwarancją producenta (informacje na temat gwarancji producenta można znaleźć na oficjalnej stronie producenta).
Prezent na święta

W Proshop oferujemy klientom prywatnym przedłużoną możliwość zwrotu zamówień złożonych w okresie od 1 listopada do 23 grudnia 2023 r. Warunki i regulamin tutaj.

Producent
Numer produktu
3103448
Model
MZ-V9P4T0BW
Ean
8806094947205
Do strony producenta
Opis produktu
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
4 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Waga
9 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
4 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.3 mm
Waga
9 g

Wydajność

Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB
1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
1600000 IOPS

Niezawodność

MTBF
1,500,000 godziny

Rozszerzenie i łączność

Interfejsy
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
M.2 2280

Zasilanie

Zużycie energii
5.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)

Oprogramowanie & Wymagania systemowe

Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software

Różne

Zgodność z normami
IEEE 1667

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.