Solid state drive, encrypted, 2 TB, internal, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), 256-bit AES-XTS, Self-Encrypting Drive (SED), TCG Opal Encryption 2.0
Dane
Producent : SamsungDo strony producenta
www.samsung.com/semiconductor/...Opis produktu | Samsung PM981 MZVLB2T0HMLB - napęd stały - 2 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Typ | Napęd stały - wewnętrzny - 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a |
Pojemność | 2 TB |
Kodowanie sprzętu | Tak |
Algorytm kodowania | 256-bit AES-XTS |
Typ pamięci NAND | Komórki wielopoziomowe 3D (MLC) |
Rodzaj obudowy | M.2 2280 |
Interfejs | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Cechy | 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a |
Wymiary (szer./głęb./wys.) | 22 mm x 80 mm x 2.38 mm |
Waga | 9 g |
Ogólne | |
---|---|
Rodzaj urządzenia | Napęd stały - wewnętrzny |
Pojemność | 2 TB |
Kodowanie sprzętu | Tak |
Algorytm kodowania | 256-bit AES-XTS |
Typ pamięci NAND | Komórki wielopoziomowe 3D (MLC) |
Rodzaj obudowy | M.2 2280 |
Interfejs | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Bajty na sektor | 512 |
Cechy | 3D V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.2a |
Szerokość | 22 mm |
Głębokość | 80 mm |
Wysokość | 2.38 mm |
Waga | 9 g |
Niezawodność | |
---|---|
MTBF | 1,500,000 godziny |
Błędy odzysku | 1 na 10^15 |
Rozszerzenie i łączność | |
---|---|
Interfejsy | PCI Express 3.0 x8 (NVMe) - M.2 Card |
Kompatybilna Wnęka | M.2 2280 |
Zasilanie | |
---|---|
Zużycie energii | 5.9 wat (odczyt) 5.7 wat (zapis) 30 mW (bezczynność) |
Różne | |
---|---|
Zgodność z normami | TUV, VCCI, BSMI, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, cULus, RCM |
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia.
Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych.
Moja strona
Regulamin zakupów
Biuro obsługi klienta
Telefon czynny
Kontakt
Proshop ApS