Numer produktu : 3210649

Kioxia CD8-V Series KCD8XVUG1T60 - SSD - Mixed Use - 1600 GB - data centre SSD - PCIe 4.0 x4 (NVMe)

SSD, Mixed Use, 1600 GB, SSD centrum danych, wewnętrzny, 2,5", PCIe 4.0 x4 (NVMe)

8 074,00 zł 6 564,23 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 4-5 dni

Dysk półprzewodnikowy KIOXIA z serii CD8-V to mieszany dysk SSD, który łączy w sobie pojemność, szybkość i niezawodność w środowiskach centrów danych. Dzięki pojemnej pamięci 1600 GB i konstrukcji umożliwiającej pracę w trybie 24x7, dysk ten został zaprojektowany tak, aby sprostać rygorystycznym wymaganiom ciągłego dostępu do danych i ich przesyłania. Ten dysk SSD wykorzystuje 112-warstwową technologię 3D BiCS FLASH, oferując nie tylko ogromną pamięć masową, ale także zapewniając ochronę danych od końca do końca. Obsługuje interfejs PCI Express 4.0 x4 (NVMe), umożliwiając szybki transfer danych do 7200 MBps odczytu i 3500 MBps zapisu, co czyni go idealnym do wysokowydajnych zadań obliczeniowych.Wydajność to kolejna cecha charakterystyczna serii KIOXIA CD8-V, ze zoptymalizowanym zużyciem energii zarówno w trybie aktywnym, jak i bezczynności, oraz funkcjami takimi jak Sanitize Instant Erase (SIE) do bezpiecznego usuwania danych. Jego trwałość operacyjna jest wspierana przez szeroki zakres temperatur pracy i wysoki współczynnik MTBF wynoszący 2,5 miliona godzin, co zapewnia niezawodność SSD w czasie. Niezależnie od tego, czy chodzi o intensywne przetwarzanie danych, rozbudowę pamięci masowej, czy poprawę szybkości reakcji systemu, dysk SSD z serii KIOXIA CD8-V został zaprojektowany tak, aby sprostać potrzebom wymagających środowisk centrów danych.

Producent
Numer produktu
3210649
Model
KCD8XVUG1T60
Do strony producenta
Opis produktu
KIOXIA CD8-V Series KCD8XVUG1T60 - SSD - Mixed Use - 1600 GB - SSD centrum danych - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1600 GB
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Klasa Napędu
Mixed Use
Cechy
112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), ochrona danych przed utratą zasilania, zabezpieczenie danych end-to-end
Wymiary (szer./głęb./wys.)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Waga
130 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1600 GB
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), ochrona danych przed utratą zasilania, zabezpieczenie danych end-to-end
Szerokość
69.85 mm
Głębokość
100.45 mm
Wysokość
15 mm
Waga
130 g

Wydajność

Liczba Zapisów Dysku Dziennie
3
Klasa Napędu
Mixed Use
Szybkość wewnętrzna danych
7200 MBps (odczyt) / 3500 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB
310000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
1250000 IOPS

Niezawodność

MTBF
2500000 godziny
Praca 24x7
Tak

Rozszerzenie i łączność

Interfejsy
1 x PCI Express 4.0 (NVMe1.4)
Kompatybilna Wnęka
2,5"

Zasilanie

Zużycie energii
14 wat (aktywne (standardowo))
5 wat (bezczynność)

Parametry środowiska

Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
75 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.