Numer produktu : 3521712

Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 - SSD - Data Centre Read Intensive - 1920 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)

SSD, Centrum Danych, intensywne odczyty, zaszyfrowany, 1920 GB, wewnętrzny, E3.S, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)

13 202,00 zł 10 733,33 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
Produkt sprowadzany, czas dostawy 12-13 dni

The KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 is a data center SSD designed for read-intensive workloads that require reliable, high-throughput storage. It delivers fast NVMe performance over a PCI Express 5.0 x4 interface to help accelerate large-scale read operations while offering a 1.92 TB capacity to support substantial data sets. The E3.S form factor and robust environmental tolerances make the drive suitable for dense, rack-mounted environments where space efficiency and durability matter.Built-in data protection features such as end-to-end data protection, Power Loss Protection, and Self-Encrypting Drive hardware encryption help safeguard stored information and simplify security compliance. With enterprise-grade reliability, a high MTBF rating, and designed endurance for read-intensive use, the drive targets operators who need consistent performance, efficient power usage, and long-term serviceability in production data centers.

Producent
Numer produktu
3521712
Model
KCD9DPJE1T92
Ean
4582761163157
Do strony producenta
Opis produktu
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 - SSD - Centrum Danych, intensywne odczyty - 1920 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1920 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
E3.S
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Klasa Napędu
Centrum Danych, intensywne odczyty
Cechy
NVM Express (NVMe) 2.0, flash BiCS, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end
Wymiary (szer./głęb./wys.)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Waga
110 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1920 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
E3.S
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Cechy
NVM Express (NVMe) 2.0, flash BiCS, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end
Szerokość
76 mm
Głębokość
112.75 mm
Wysokość
7.5 mm
Waga
110 g

Wydajność

Liczba Zapisów Dysku Dziennie
1
Klasa Napędu
Centrum Danych, intensywne odczyty
Szybkość wewnętrzna danych
14500 MBps (odczyt) / 3600 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
2000000 IOPS
Zapis losowy 4KB
160000 IOPS

Niezawodność

MTBF
2,500,000 godziny

Rozszerzenie i łączność

Interfejsy
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
E3.S

Zasilanie

Wymagane napięcie
12 V
Zużycie energii
23 wat (aktywny)
5 wat (bezczynność)

Parametry środowiska

Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
76 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.