Numer produktu : 3521721
Kioxia CD9P-R Series KCD9DPUG30T7 - SSD - Data Centre Read Intensive - 30720 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, Centrum Danych, intensywne odczyty, zaszyfrowany, 30720 GB, wewnętrzny, 2,5", PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
99 429,01 zł
80 836,59 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
Produkt sprowadzany, czas dostawy 12-13 dni
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPUG30T7 is a data center NVMe SSD designed for read-intensive workloads that need high capacity and consistent performance. It delivers fast sequential and random I/O to accelerate large-scale storage tasks while offering enterprise-class reliability features that protect data integrity. The drive combines a 30 TB capacity with PCI Express 5.0 x4 connectivity, self-encryption, power loss protection, and an endurance rating suitable for steady, long-term operation in demanding environments, helping maintain uptime and simplify data protection.Built for dense server and storage deployments, the drive balances performance and efficiency with low idle power and enterprise-grade shock and vibration tolerance, enabling reliable operation across a wide temperature and humidity range. Its long MTBF and hardware encryption support help meet data center availability and security requirements while reducing administrative overhead.
Producent
Numer produktu
3521721
Model
KCD9DPUG30T7
Ean
4582761163096
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPUG30T7 - SSD - Centrum Danych, intensywne odczyty - 30720 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
30720 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Klasa Napędu
Centrum Danych, intensywne odczyty
Cechy
NVM Express (NVMe) 2.0, flash BiCS, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end
Wymiary (szer./głęb./wys.)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Waga
130 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
30720 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Cechy
NVM Express (NVMe) 2.0, flash BiCS, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end
Szerokość
69.85 mm
Głębokość
100.45 mm
Wysokość
15 mm
Waga
130 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie
1
Klasa Napędu
Centrum Danych, intensywne odczyty
Szybkość wewnętrzna danych
13500 MBps (odczyt) / 7000 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
2600000 IOPS
Zapis losowy 4KB
300000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
2,5"
Zasilanie
Wymagane napięcie
12 V
Zużycie energii
23 wat (aktywny)
5 wat (bezczynność)
5 wat (bezczynność)
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
76 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.