Numer produktu : 3223052
Kioxia CM7-V Series KCMYXVUG6T40 - SSD - Enterprise Mixed Use - 6400 GB - sanitise instant erase (SIE) - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, Enterprise, Mixed Use, 6400 GB, sanitize instant erase (SIE), wewnętrzny, 2,5", PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
26 953,00 zł
21 913,01 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
Produkt sprowadzany, czas dostawy 5-6 dni
Dysk półprzewodnikowy KIOXIA CM7-V Series został zaprojektowany, aby sprostać rygorystycznym wymaganiom środowisk korporacyjnych. Dzięki znacznej pojemności wynoszącej 6400 GB i zaawansowanej 112-warstwowej technologii 3D BiCS FLASH, oferuje on dużą ilość pamięci masowej oraz wyjątkową trwałość i wydajność. Dysk obsługuje pracę w trybie 24x7 i jest wyposażony w funkcje takie jak Sanitize Instant Erase (SIE) i Power Loss Protection (PLP), zapewniając bezpieczeństwo danych i dostęp do nich nawet w trudnych warunkach. Imponujące wewnętrzne szybkości odczytu danych do 14 000 MB/s i zapisu do 6750 MB/s, wraz z wysoką liczbą operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS), sprawiają, że jest to idealne rozwiązanie do szybkiego przetwarzania i przechowywania danych. Niezależnie od tego, czy chodzi o przetwarzanie transakcji online (OLTP), mieszane aplikacje korporacyjne, czy jakiekolwiek zadanie wymagające niezawodności, seria KIOXIA CM7-V jest gotowa do działania.
Producent
Numer produktu
3223052
Model
KCMYXVUG6T40
Ean
8592978511975
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
KIOXIA CM7-V Series KCMYXVUG6T40 - SSD - Enterprise, Mixed Use - 6400 GB - sanitize instant erase (SIE) - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
6400 GB
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Klasa Napędu
Enterprise, Mixed Use
Cechy
Sanitize Instant Erase (SIE), 112-layer 3D BiCS FLASH, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), Online Transaction Processing (OLTP), NVMe 2.0
Wymiary (szer./głęb./wys.)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Waga
130 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
6400 GB
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Cechy
Sanitize Instant Erase (SIE), 112-layer 3D BiCS FLASH, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), Online Transaction Processing (OLTP), NVMe 2.0
Szerokość
69.85 mm
Głębokość
100.45 mm
Wysokość
15 mm
Waga
130 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie
3
Klasa Napędu
Enterprise, Mixed Use
Szybkość wewnętrzna danych
14000 MBps (odczyt) / 6750 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
2450000 IOPS
Zapis losowy 4KB
550000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2,500,000 godziny
Praca 24x7
Tak
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
2,5"
Zasilanie
Zużycie energii
25 wat (aktywny)
5 wat (gotowość)
5 wat (gotowość)
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
73 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 g @ 5-800 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.