Numer produktu : 3526890
Kioxia CM9-R Series KCM9DRJE30T7 - SSD - Enterprise Read Intensive - 30720 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
SSD, Enterprise, Intensywny Odczyt, zaszyfrowany, 30720 GB, wewnętrzny, E3.S, PCI Express 5.0 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
136 278,00 zł
110 795,12 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
Produkt sprowadzany, czas dostawy 15-16 dni
KIOXIA CM9-R Series KCM9DRJE30T7 to wewnętrzny dysk półprzewodnikowy klasy korporacyjnej, przeznaczony do intensywnego odczytu, zaprojektowany z myślą o ciągłej pracy w centrach danych w trybie 24x7. Zapewnia dużą pojemność pamięci i stałą responsywność, wspierając środowiska danych na dużą skalę, dzięki pojemności 30 720 GB oraz interfejsowi PCI Express 5.0 (NVMe), który umożliwia szybki transfer i dostęp o niskim opóźnieniu. Dysk, zaprojektowany z myślą o trwałości i integralności danych, posiada takie funkcje, jak ochrona przed utratą zasilania, kompleksowa ochrona danych, dostępność dwóch portów oraz sprzętowe szyfrowanie dysku, które pomagają utrzymać ciągłość działania i zabezpieczyć przechowywane informacje. Dysk z serii CM9-R łączy w sobie stałą wydajność z niezawodnością klasy korporacyjnej, dzięki czemu nadaje się do intensywnych obciążeń związanych z odczytem, wymagających stałej dostępności i dużej wytrzymałości.
Producent
Numer produktu
3526890
Model
KCM9DRJE30T7
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
KIOXIA CM9-R Series KCM9DRJE30T7 - SSD - Enterprise, Intensywny Odczyt - 30720 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
30720 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
E3.S
Interfejs
PCI Express 5.0 (NVMe)
Klasa Napędu
Enterprise, Intensywny Odczyt
Cechy
Flash BiCS, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end, ciągła praca 24x7, NVM Express (NVMe) 2.0
Wymiary (szer./głęb./wys.)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Waga
110 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
30720 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
E3.S
Interfejs
PCI Express 5.0 (NVMe)
Cechy
Flash BiCS, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end, ciągła praca 24x7, NVM Express (NVMe) 2.0
Szerokość
76 mm
Głębokość
112.75 mm
Wysokość
7.5 mm
Waga
110 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie
1
Klasa Napędu
Enterprise, Intensywny Odczyt
Szybkość wewnętrzna danych
13500 MBps (odczyt) / 9750 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
2750000 IOPS
Zapis losowy 4KB
270000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2,500,000 godziny
Praca 24x7
Tak
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
1 x PCI Express 5.0 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
E3.S
Zasilanie
Zużycie energii
25 wat (aktywne (standardowo))
5 wat (bezczynność)
5 wat (bezczynność)
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
75 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.