Numer produktu : 3526888
Kioxia CM9-R Series KCM9DRUL15T3 - SSD - Enterprise Read Intensive - 15360 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
SSD, Enterprise, Intensywny Odczyt, zaszyfrowany, 15360 GB, wewnętrzny, 2,5", PCI Express 5.0 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
62 839,00 zł
51 088,62 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
Produkt sprowadzany, czas dostawy 15-16 dni
KIOXIA CM9-R Series KCM9DRUL15T3 to 2,5-calowy dysk półprzewodnikowy NVMe klasy korporacyjnej, zaprojektowany z myślą o obciążeniach w centrach danych wymagających intensywnego odczytu, działających w trybie 24x7. Zapewnia on wysoką pojemność – aż 15 360 GB – oraz funkcje niezawodności dostosowane do potrzeb przedsiębiorstw, które pomagają utrzymać ciągłość działania i przewidywalną wydajność. Dysk zapewnia szybką, stałą przepustowość oraz responsywne operacje wejścia/wyjścia losowego, co pozwala mu obsługiwać obciążenia wymagające intensywnego odczytu, a dwuportowa łączność PCI Express 5.0 (NVMe) oraz złącze U.3 zapewniają elastyczną integrację o dużej przepustowości z nowoczesnymi platformami pamięci masowej. Wbudowane zabezpieczenia, w tym samoczynne szyfrowanie i ochrona przed utratą zasilania, chronią integralność danych, a wskaźnik MTBF wynoszący 2 500 000 godzin zapewnia niezawodne, długotrwałe użytkowanie w wymagających środowiskach.
Producent
Numer produktu
3526888
Model
KCM9DRUL15T3
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
KIOXIA CM9-R Series KCM9DRUL15T3 - SSD - Enterprise, Intensywny Odczyt - 15360 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
15360 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCI Express 5.0 (NVMe)
Klasa Napędu
Enterprise, Intensywny Odczyt
Cechy
Flash BiCS, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end, ciągła praca 24x7, NVM Express (NVMe) 2.0
Wymiary (szer./głęb./wys.)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Waga
130 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
15360 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
PCI Express 5.0 (NVMe)
Cechy
Flash BiCS, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end, ciągła praca 24x7, NVM Express (NVMe) 2.0
Szerokość
69.85 mm
Głębokość
100.45 mm
Wysokość
15 mm
Waga
130 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie
1
Klasa Napędu
Enterprise, Intensywny Odczyt
Szybkość wewnętrzna danych
14800 MBps (odczyt) / 11000 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
3400000 IOPS
Zapis losowy 4KB
540000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2,500,000 godziny
Praca 24x7
Tak
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
1 x PCI Express 5.0 (NVMe) - U.3 (SFF-TA-1001)
Kompatybilna Wnęka
2,5"
Zasilanie
Zużycie energii
25 wat (aktywne (standardowo))
5 wat (bezczynność)
5 wat (bezczynność)
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
75 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.