Numer produktu : 3526896
Kioxia CM9-V Series KCM9DVJE6T40 - SSD - Enterprise Mixed Use - 6400 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
SSD, Enterprise, Mixed Use, zaszyfrowany, 6400 GB, wewnętrzny, E3.S, PCI Express 5.0 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
35 687,00 zł
29 013,82 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
Produkt sprowadzany, czas dostawy 16-17 dni
KIOXIA CM9-V Series KCM9DVJE6T40 to korporacyjny dysk półprzewodnikowy E3.S NVMe o mieszanym przeznaczeniu, zaprojektowany z myślą o ciągłych obciążeniach w centrach danych, wymagających dużej pojemności i stałej wydajności. Dysk zapewnia prędkość transferu rzędu wielu GB/s oraz szybką reakcję na operacje zapisu losowego, co pozwala przyspieszyć działanie baz danych, wirtualizacji i aplikacji intensywnie wykorzystujących operacje zapisu, a jednocześnie obsługuje tryb pracy 24/7 i charakteryzuje się wytrzymałością na poziomie 3 DWPD, gwarantującą długotrwałą eksploatację.Zaprojektowany z myślą o niezawodności i bezpiecznej pracy dysk jest wyposażony w podwójny port, zabezpieczenie przed utratą zasilania, kompleksową ochronę danych oraz funkcję samoczynnego szyfrowania, co pomaga chronić dane zarówno podczas przesyłania, jak i przechowywania, a wskaźnik MTBF klasy korporacyjnej oraz szeroki zakres tolerancji temperatury roboczej i wibracji umożliwiają wdrożenie w wymagających środowiskach.
Producent
Numer produktu
3526896
Model
KCM9DVJE6T40
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
KIOXIA CM9-V Series KCM9DVJE6T40 - SSD - Enterprise, Mixed Use - 6400 GB - PCI Express 5.0 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
6400 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
E3.S
Interfejs
PCI Express 5.0 (NVMe)
Klasa Napędu
Enterprise, Mixed Use
Cechy
Flash BiCS, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end, ciągła praca 24x7, NVM Express (NVMe) 2.0
Wymiary (szer./głęb./wys.)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Waga
110 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
6400 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
E3.S
Interfejs
PCI Express 5.0 (NVMe)
Cechy
Flash BiCS, Open Compute Project 2.5, Dual Port, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), zabezpieczenie danych end-to-end, ciągła praca 24x7, NVM Express (NVMe) 2.0
Szerokość
76 mm
Głębokość
112.75 mm
Wysokość
7.5 mm
Waga
110 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie
3
Klasa Napędu
Enterprise, Mixed Use
Szybkość wewnętrzna danych
14800 MBps (odczyt) / 10000 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
3400000 IOPS
Zapis losowy 4KB
800000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2,500,000 godziny
Praca 24x7
Tak
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
1 x PCI Express 5.0 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
E3.S
Zasilanie
Zużycie energii
25 wat (aktywne (standardowo))
5 wat (bezczynność)
5 wat (bezczynność)
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
75 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.