Numer produktu : 3210646
Kioxia PM7-V Series KPM7VVUG3T20 - SSD - Enterprise - 3200 GB - SAS 22.5Gb/s
SSD, Enterprise, zaszyfrowany, 3200 GB, wewnętrzny, 2,5", SAS 24Gb/s, Self-Encrypting Drive (SED)
21 740,00 zł
17 674,80 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 5-6 dni
Dysk półprzewodnikowy KIOXIA z serii PM7-V jest przeznaczony dla firm wymagających niezawodnych rozwiązań pamięci masowej. Dzięki dużej pojemności 3200 GB i 112-warstwowej technologii 3D BiCS FLASH, oferuje on dużo miejsca i wydajną pracę w wymagających środowiskach korporacyjnych. Imponujące wewnętrzne szybkości transmisji danych do 4200 MB/s dla odczytu i 3650 MB/s dla zapisu, wraz z wysoką liczbą operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS), zapewniają szybki dostęp do danych i szybkość transferu, co ma kluczowe znaczenie dla produktywności i wydajności. Bezpieczeństwo jest priorytetem, a dzięki funkcjom takim jak kompleksowa ochrona danych, ochrona przed utratą zasilania (PLP) i dysk samoszyfrujący (SED) z szyfrowaniem sprzętowym, integralność i poufność danych są zachowane. Co więcej, jego trwałość jest potwierdzona przez MTBF wynoszący 2 500 000 godzin oraz solidną tolerancję na wstrząsy i wibracje, dzięki czemu seria KIOXIA PM7-V jest solidnym wyborem do ciągłej pracy w każdej konfiguracji korporacyjnej.
Producent
Numer produktu
3210646
Model
KPM7VVUG3T20
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
KIOXIA PM7-V Series KPM7VVUG3T20 - SSD - Enterprise - 3200 GB - SAS 24Gb/s
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
3200 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
SAS 24Gb/s
Szybkość przesyłu danych
2.8 GBps
Klasa Napędu
Enterprise
Cechy
Zapis Wielu Strumieni T10, zabezpieczenie danych end-to-end, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), T10 Data Integrity Field (DIF), Power Disable Pin (Pin3), 112-layer 3D BiCS FLASH
Wymiary (szer./głęb./wys.)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Waga
150 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
3200 GB
Kodowanie sprzętu
Tak
Typ pamięci NAND
3D triple-level cell (TLC)
Rodzaj obudowy
2,5"
Interfejs
SAS 24Gb/s
Cechy
Zapis Wielu Strumieni T10, zabezpieczenie danych end-to-end, Ochrona Przed Utratą Mocy (PLP), T10 Data Integrity Field (DIF), Power Disable Pin (Pin3), 112-layer 3D BiCS FLASH
Szerokość
69.85 mm
Głębokość
100.45 mm
Wysokość
15 mm
Waga
150 g
Wydajność
Liczba Zapisów Dysku Dziennie
3
Klasa Napędu
Enterprise
Szybkość transmisji urządzenia
2.8 GBps (zewnętrzna)
Szybkość wewnętrzna danych
4200 MBps (odczyt) / 3650 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
720000 IOPS
Zapis losowy 4KB
340000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
1 x SAS 24Gb/s
Kompatybilna Wnęka
2,5"
Zasilanie
Zużycie energii
5 wat (gotowość)
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
70 °C
Dopuszczalna wilgotność
5 - 95% RH
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)
1000 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (podczas pracy)
2.17 g @ 5-800 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.