Numer produktu : 3303620

Samsung 990 EVO Plus SSD - 1TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 1 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7150 MB/s (odczyt) / 6300 MB/s (zapis), IOPS: 850000 IOPS (odczyt) / 1350000 IOPS (zapis), rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

Koszt wysyłki od 20,00 zł
6 szt. Na stanie - czas dostawy 2-3 dni

The Samsung 990 EVO Plus is an internal solid state drive designed for demanding applications. With a robust capacity of up to 4 TB, it ensures ample storage for a variety of files and applications. The drive utilizes PCI Express 5.0 and boasts internal data rates of up to 7150 MB/s, allowing for quick data retrieval and minimal load times. Samsung’s V-NAND TLC Technology enhances performance and endurance, making it suitable for both everyday computing and intensive tasks. This drive is engineered to withstand a range of environmental conditions, operating effectively in temperatures from 0°C to 70°C and withstanding storage temperatures as low as -40°C and as high as 85°C. It features TRIM support and an Auto Garbage Collection Algorithm, ensuring optimal performance over time. Security is prioritized with hardware encryption and compliance with TCG Opal Encryption 2.0, safeguarding data against unauthorized access.

Producent
Numer produktu
3303620
Model
MZ-V9S1T0BW
Ean
8806095575674
Kontakt do producenta
Opis produktu
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Cechy
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, obsługa Usypiania Urządzenia, Host Memory Buffer (HMB), wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Waga
9 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Cechy
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, obsługa Usypiania Urządzenia, Host Memory Buffer (HMB), wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Szerokość
22.15 mm
Głębokość
80.15 mm
Wysokość
2.38 mm
Waga
9 g

Wydajność

Szybkość wewnętrzna danych
7150 MBps (odczyt) / 6300 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB
1350000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
850000 IOPS

Niezawodność

MTBF
1.500.000 godziny

Rozszerzenie i łączność

Kompatybilna Wnęka
M.2 2280

Zasilanie

Zużycie energii
4.3 wat (odczyt)
4.2 wat (zapis)
60 mW (tryb czuwania)
5 mW (stan uśpienia)

Oprogramowanie & Wymagania systemowe

Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software

Różne

Rodzaj obudowy
Powłoka niklowa

Parametry środowiska

Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
70 °C
Odporność na wstrząsy (w stanie spoczynku)
1500 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (w stanie spoczynku)
20 g @ 20-2000 Hz

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.