Pomoc

Dysk SSD - Samsung 990 EVO SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 - MZ-V9E2T0BW
Numer produktu : 3224559
MZ-V9E2T0BW
MZ-V9E2T0BW
MZ-V9E2T0BW

Samsung 990 EVO SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280

SSD (Solid State Drive), 2 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 5000 MB/s (odczyt) / 4200 MB/s (zapis), IOPS: 700000 IOPS (odczyt) / 800000 IOPS (zapis), rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 5.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller, software: Samsung Magician software

Na stanie
672,99 zł 547,15 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
+15 szt. Na stanie - czas dostawy 3-4 dni
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE

Nowy, fabrycznie zapakowany produkt z pełną gwarancją producenta (informacje na temat gwarancji producenta można znaleźć na oficjalnej stronie producenta).

The Samsung 990 EVO solid state drive offers high capacity, swift data transfer speeds, and advanced security features for an effective storage solution. With a 2 TB capacity and speeds of up to 5000 MBps for reading and 4200 MBps for writing, it enhances your computing experience. The drive utilizes a PCI Express 5.0 x4 (NVMe) interface for efficient data transfers and operation. Security is prioritized with 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0, ensuring your data is protected. Additionally, Dynamic Thermal Guard protection helps prevent overheating, maintaining performance during demanding tasks. Suitable for both professional and personal use, the Samsung 990 EVO is built to support high-performance computing environments.

Producent
Numer produktu
3224559
Model
MZ-V9E2T0BW
Ean
8806095300269
Do strony producenta
Opis produktu
Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 TB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND TLC Technology, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4, S.M.A.R.T.
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Waga
9 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND TLC Technology, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4, S.M.A.R.T.
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.38 mm
Waga
9 g

Wydajność

Szybkość wewnętrzna danych
5000 MBps (odczyt) / 4200 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
22000 IOPS
Zapis losowy 4KB
90000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB
800000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
700000 IOPS

Rozszerzenie i łączność

Kompatybilna Wnęka
M.2 2280

Zasilanie

Zużycie energii
5.4 wat (odczyt)
4.7 wat (zapis)

Oprogramowanie & Wymagania systemowe

Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software

Różne

Zgodność z normami
IEEE 1667
Szczegóły Opakowania
Pudełko

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.