Numer produktu : 2971898
Samsung PM9A3 SSD - 3.8TB - M.2 22110 PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 3.84 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 6900 MB/s (odczyt) / 4100 MB/s (zapis), IOPS: 1000000 IOPS (odczyt) / 180000 IOPS (zapis), rozmiar: U.2 / 2.5", PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 1.4 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256-XTS bit TCG Opal, Samsung Elpis controller, kolor: czarny, zoptymalizowany pod kątem użycia serwera
Koszt wysyłki od 20,00 zł
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 4-5 dni
The Samsung SSD PM9A3 presents outstanding performance with instant responsiveness to the host system, by applying the Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 interface standard, as well as highly efficient Non-Volatile Memory Express (NVMe) Protocol.
By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.
In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.
By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.
In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.
Producent
Numer produktu
2971898
Model
MZ1L23T8HBLA-00A07
Ean
8592978395070
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
Samsung PM9A3 MZ1L23T8HBLA - SSD - 3.84 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
3.84 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256-bit AES-XTS
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy
M.2 22110
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 110 mm x 3.8 mm
Waga
20 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
3.84 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256-bit AES-XTS
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy
M.2 22110
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Bajty na sektor
512
Cechy
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Szerokość
22 mm
Głębokość
110 mm
Wysokość
3.8 mm
Waga
20 g
Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych
5500 MBps (odczyt) / 2000 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
800000 IOPS
Zapis losowy 4KB
85000 IOPS
Niezawodność
MTBF
2 miliony godziny
Błędy nienaprawialne
1 na 10^17
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
M.2 22110
Zasilanie
Zużycie energii
8.2 wat (odczyt)
8.2 wat (zapis)
2.5 wat (bezczynność)
8.2 wat (zapis)
2.5 wat (bezczynność)
Różne
Zgodność z normami
RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, Bezhalogenowa
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
70 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5–95% (niekondensująca)
Odporność na wstrząsy (w stanie spoczynku)
1500 g
Odporność na drgania (w stanie spoczynku)
20 g @ 10-2000 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.
