Numer produktu : 3100596
Silicon Power - DDR4 - module - 8 GB - SO-DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - unbuffered
DDR4, moduł, 8 GB, SO-DIMM 260-pin, 2666 MT/s / PC4-21300, CL19, 1.2 V, niebuforowana, bez ECC
380,00 zł
308,94 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 4-5 dni
The Silicon Power 8 GB DRAM memory module is designed for those seeking solid performance and reliability. With a memory speed of 2666 MHz and a supply voltage of 1.2 V, this DDR4 SDRAM memory ensures efficient power consumption while delivering smooth multitasking capabilities. It features a 260-pin SO-DIMM form factor that is compatible with various devices, making it a choice for upgrades. Compliant with standards such as FCC, RoHS, and JEDEC, this product meets environmental guidelines, ensuring users make a responsible choice without compromising on performance.
Producent
Numer produktu
3100596
Model
SP008GBSFU266X02
Ean
4713436143956
Do strony producenta
Opis produktu
SILICON POWER - DDR4 - moduł - 8 GB - SO-DIMM 260-pin / PC4-21300 - niebuforowana
Typ produktu
Moduł pamięci
Pojemność
8 GB
Typ pamięci
DDR4 SDRAM - SO-DIMM 260-pin
Sposób rozbudowy
Standardowy
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Szybkość
2666 MT/s (PC4-21300)
Latency Timings
CL19
Cechy
Niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Ogólne
Pojemność
8 GB
Sposób rozbudowy
Standardowy
Pamięć
Typ
DRAM moduł pamięci
Technologia
DDR4 SDRAM
Rodzaj obudowy
SO-DIMM 260-pin
Szybkość
2666 MT/s (PC4-21300)
Latency Timings
CL19
Sprawdzenie intgralności danych
Bez ECC
Charakterystyka
Niebuforowana
Napięcie
1.2 V
Różne
Zgodność z normami
FCC, RoHS, WEEE, Green Dot, JEDEC
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.