Pomoc

Dysk SSD - Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Bez radiatora - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P1T0BW
Numer produktu : 3103446
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW
MZ-V9P1T0BW

Samsung 990 Pro SSD - 1TB - Bez radiatora - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 1 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7450 MB/s (odczyt) / 6900 MB/s (zapis), IOPS: 1200000 IOPS (odczyt) / 1550000 IOPS (zapis), 1GB LPDDR4 RAM, rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller

Na stanie
549,00 zł 446,34 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
+15 szt. Na stanie - czas dostawy 3-4 dni
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE

Nowy, fabrycznie zapakowany produkt z pełną gwarancją producenta (informacje na temat gwarancji producenta można znaleźć na oficjalnej stronie producenta).

Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.

Producent
Numer produktu
3103446
Model
MZ-V9P1T0BW
Ean
8806094215021
Do strony producenta
Opis produktu
Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Szybkość przesyłu danych
8 GBps
Cechy
Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Waga
9 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
1 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, tryb uśpienia, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.3 mm
Waga
9 g

Wydajność

Wytrzymałość SSD
600 TB
Szybkość transmisji urządzenia
8 GBps (zewnętrzna)
Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
1200000 IOPS
Zapis losowy 4KB
1550000 IOPS

Niezawodność

MTBF
1,500,000 godziny

Rozszerzenie i łączność

Kompatybilna Wnęka
M.2 2280

Zasilanie

Zużycie energii
5.4 wat (odczyt)
5 wat (zapis)
50 mW (bezczynność)
5 mW (tryb L1.2)

Oprogramowanie & Wymagania systemowe

Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software

Różne

Zgodność z normami
VCCI, FCC, EAC, cRUus, IEEE 1667, UKCA
Szczegóły Opakowania
Pudełko

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.