Numer produktu : 3173145
HOT

Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Z radiatorami - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 2 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7450 MB/s (odczyt) / 6900 MB/s (zapis), IOPS: 1400000 IOPS (odczyt) / 1550000 IOPS (zapis), 2GB LPDDR4 RAM, rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256 bit / TCG Opal, Kompatybilny z DirectStorage, Samsung Pascal S4LV008 controller, Uwaga! Pakowane zbiorczo (bez akcesoriów), kolor: czarny

Czytaj wiecej
Na stanie
1 865,00 zł 1 516,26 zł netto

Ten zestaw zawiera

dic_campaign_bundles_giftBundleTitle

Norton Utilities Ultimate | 1 User 10 Devices 12 Months | ESD - Elektronisk

Wartość 199,00 zł Obowiązuje od 16-09-2026 00:00 - aż do wyczerpania zapasów
Koszt wysyłki od 20,00 zł
1 szt. Na stanie - czas dostawy 2-3 dni

Aby wyświetlić tę treść, musisz zaakceptować ciasteczka cookies.

Zmień ustawienia plików cookie
Ze wzgledu na ogromne zainteresowanie produktem mozliwy jest zakup jedynie 2 szt. na klienta, dzieki czemu bedziemy mogli obsluzyc jak najwieksza liczbe klientów.
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE

Nowy, fabrycznie zapakowany produkt. Oferujemy dwuletnią rękojmię dla klientów prywatnych i jednoosobowych działalności gospodarczych oraz roczną rękojmię dla klientów biznesowych.

Reach max performance of PCIe 4.0. Experience longer-lasting, opponent-blasting speed. The in-house controller's smart heat control delivers supreme power efficiency while maintaining ferocious speed and performance, to always keep you at the top of your game.

Producent
Numer produktu
3173145
Model
MZ-V9P2T0CW / GW
Ean
8806094413755
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Szybkość przesyłu danych
8 GBps
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4, wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, tryb uśpienia, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Waga
9 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4, wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, tryb uśpienia, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.3 mm
Waga
9 g

Wydajność

Wytrzymałość SSD
1200 TB
Szybkość transmisji urządzenia
8 GBps (zewnętrzna)
Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
1400000 IOPS
Zapis losowy 4KB
1550000 IOPS

Niezawodność

MTBF
1,500,000 godziny

Rozszerzenie i łączność

Kompatybilna Wnęka
M.2 2280

Zasilanie

Zużycie energii
5.8 wat (odczyt)
5.1 wat (zapis)
55 mW (bezczynność)
5 mW (tryb L1.2)

Oprogramowanie & Wymagania systemowe

Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software

Różne

Zgodność z normami
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Szczegóły Opakowania
Pudełko

Parametry środowiska

Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
70 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5–95% (niekondensująca)
Odporność na wstrząsy (w stanie spoczynku)
1500 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (w stanie spoczynku)
20 g @ 20-2000 Hz

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.