Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Bez radiatora - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 4 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7450 MB/s (odczyt) / 6900 MB/s (zapis), IOPS: 1400000 IOPS (odczyt) / 1550000 IOPS (zapis), 4GB LPDDR4 RAM, rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, kolor: czarny
1 249,00 zł
1 015,45 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
W magazynie zewnętrznym, czas dostawy 3-4 dni, (oczekiwany w naszym magazynie 24.06.2025)
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE
Nowy, fabrycznie zapakowany produkt. Oferujemy dwuletnią rękojmię dla klientów prywatnych i jednoosobowych działalności gospodarczych oraz roczną rękojmię dla klientów biznesowych.
Nowy, fabrycznie zapakowany produkt. Oferujemy dwuletnią rękojmię dla klientów prywatnych i jednoosobowych działalności gospodarczych oraz roczną rękojmię dla klientów biznesowych.
The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.
Producent
Numer produktu
3103448
Model
MZ-V9P4T0BW
Ean
8806094947205
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
4 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, obsługa Usypiania Urządzenia, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Waga
9 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
4 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka wielopoziomowa (MLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, obsługa Usypiania Urządzenia, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.3 mm
Waga
9 g
Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB
1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
1600000 IOPS
Niezawodność
MTBF
1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii
5.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)
55 mW (bezczynność)
Oprogramowanie & Wymagania systemowe
Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software
Różne
Zgodność z normami
IEEE 1667
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.