Pomoc

Dysk SSD - Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Z radiatorami - M.2 2280 - PCIe 4.0 - MZ-V9P4T0CW / GW
Numer produktu : 3198219
MZ-V9P4T0CW / GW
MZ-V9P4T0CW / GW
MZ-V9P4T0CW / GW
MZ-V9P4T0CW / GW
MZ-V9P4T0CW / GW
MZ-V9P4T0CW / GW
MZ-V9P4T0CW / GW

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Z radiatorami - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7450 MB/s (odczyt) / 6900 MB/s (zapis), IOPS: 1400000 IOPS (odczyt) / 1550000 IOPS (zapis), 4GB LPDDR4 RAM, rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256 bit / TCG Opal, Kompatybilny z DirectStorage, Samsung Pascal S4LV008 controller, Uwaga! Pakowane zbiorczo (bez akcesoriów)

Na stanie
1 549,00 zł 1 259,35 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
+15 szt. Na stanie - czas dostawy 3-4 dni
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE

Nowy, fabrycznie zapakowany produkt z pełną gwarancją producenta (informacje na temat gwarancji producenta można znaleźć na oficjalnej stronie producenta).

Producent
Numer produktu
3198219
Model
MZ-V9P4T0CW / GW
Ean
8806094946857
Do strony producenta
Opis produktu
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
4 TB
Radiator Zintegrowany
Tak
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND TLC Technology, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Wymiary (szer./głęb./wys.)
25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
Waga
28 g

Ogólne

Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
4 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Radiator Zintegrowany
Tak
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Wsparcie TRIM, technologia Garbage Collection, obsługa Usypiania Urządzenia, Samsung V-NAND TLC Technology, Pamięć Podręczna 4 GB Niska Moc DDR4 SDRAM, S.M.A.R.T.
Szerokość
25 mm
Głębokość
80.15 mm
Wysokość
8.88 mm
Waga
28 g

Wydajność

Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Maksymalny zapis losowy 4KB
1550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB
1600000 IOPS

Niezawodność

MTBF
1,500,000 godziny

Rozszerzenie i łączność

Interfejsy
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatybilna Wnęka
M.2 2280

Zasilanie

Zużycie energii
6.5 wat (przeciętna)
55 mW (bezczynność)

Oprogramowanie & Wymagania systemowe

Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software

Różne

Zgodność z normami
IEEE 1667

Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.