Numer produktu : 3103447
Samsung 990 Pro SSD - 2TB - Bez radiatora - M.2 2280 - PCIe 4.0
SSD (Solid State Drive), 2 TB, wewnętrzny, szybkość transferu: 7450 MB/s (odczyt) / 6900 MB/s (zapis), IOPS: 1400000 IOPS (odczyt) / 1550000 IOPS (zapis), 2GB LPDDR4 RAM, rozmiar: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 połączenie, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), szyfrowanie sprzętowe: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, kolor: czarny
Na stanie
1 899,00 zł
1 543,90 zł netto
Koszt wysyłki od 20,00 zł
15+ szt.
Na stanie - czas dostawy 2-3 dni
Ze wzgledu na ogromne zainteresowanie produktem mozliwy jest zakup jedynie 2 szt. na klienta, dzieki czemu bedziemy mogli obsluzyc jak najwieksza liczbe klientów.
INFORMACJE O TYM PRODUKCIE
Nowy, fabrycznie zapakowany produkt. Oferujemy dwuletnią rękojmię dla klientów prywatnych i jednoosobowych działalności gospodarczych oraz roczną rękojmię dla klientów biznesowych.
Nowy, fabrycznie zapakowany produkt. Oferujemy dwuletnią rękojmię dla klientów prywatnych i jednoosobowych działalności gospodarczych oraz roczną rękojmię dla klientów biznesowych.
Osiągnij maksymalną wydajność PCIe 4.0. Doświadcz długotrwałej, niszczącej przeciwników prędkości. Inteligentna kontrola ciepła wewnętrznego kontrolera zapewnia najwyższą wydajność energetyczną przy zachowaniu ogromnej prędkości i wydajności, dzięki czemu możesz pozostać na szczycie swojej gry.
Producent
Numer produktu
3103447
Model
MZ-V9P2T0BW
Ean
8806094215038
Do strony producenta
Kontakt do producenta
Opis produktu
Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW - SSD - 2 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Szybkość przesyłu danych
8 GBps
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4, wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, tryb uśpienia, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Wymiary (szer./głęb./wys.)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Waga
9 g
Ogólne
Rodzaj urządzenia
SSD - wewnętrzny
Pojemność
2 TB
Kodowanie sprzętu
Tak
Algorytm kodowania
256 bitów AES
Typ pamięci NAND
Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy
M.2 2280
Interfejs
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, pamięć podręczna 2 GB LPDDR4, wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, tryb uśpienia, NVMe 2.0, S.M.A.R.T.
Szerokość
22 mm
Głębokość
80 mm
Wysokość
2.3 mm
Waga
9 g
Wydajność
Wytrzymałość SSD
1200 TB
Szybkość transmisji urządzenia
8 GBps (zewnętrzna)
Szybkość wewnętrzna danych
7450 MBps (odczyt) / 6900 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB
1400000 IOPS
Zapis losowy 4KB
1550000 IOPS
Niezawodność
MTBF
1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Kompatybilna Wnęka
M.2 2280
Zasilanie
Zużycie energii
5.8 wat (odczyt)
5.1 wat (zapis)
55 mW (bezczynność)
5 mW (tryb L1.2)
5.1 wat (zapis)
55 mW (bezczynność)
5 mW (tryb L1.2)
Oprogramowanie & Wymagania systemowe
Dołączone oprogramowanie
Samsung Magician Software
Różne
Zgodność z normami
IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC
Szczegóły Opakowania
Pudełko
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy
0 °C
Maksymalna temperatura pracy
70 °C
Min. temperatura przechowywania
-40 °C
Maks. temperatura przechowywania
85 °C
Dopuszczalna wilgotność
5–95% (niekondensująca)
Odporność na wstrząsy (w stanie spoczynku)
1500 g @ 0,5 ms
Odporność na drgania (w stanie spoczynku)
20 g @ 20-2000 Hz
Powyższe informacje / specyfikacje są wskazówkami i mogą zostać zmienione przez producenta bez powiadomienia. Z zastrzeżeniem błędów w druku i obrazów orientacyjnych. Niektóre teksty są generowane automatycznie lub tłumaczone maszynowo i mogą posiadać błędy lub mogą być mylące.